BM3416E دیتاشیت

BM3416E

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BM3416E
حجم فایل 79.752 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت BM3416E

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: BORN BM3416E
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.56W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.3nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 450pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 80pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16.2mΩ@4.5V,5A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: BORN

محصولات مشابه